High figure-of-merit SOI power LDMOS for power integrated circuits
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Simulation of Ldmos High Frequency Power Transistor
Two important properties of an RF LDMOS power transistor are the high-voltage performance and the high-frequency performance. This thesis begins with the design of an initial device model based on a Motorola RF LDMOS product. The effects of varying drift length, n-epi layer doping concentration and thickness are then investigated by simulation using Academi2d software. Each parameter is varied ...
متن کاملHigh Temperature Bipolar SiC Power Integrated Circuits
In the recent decade, integrated electronics implemented using wide bandgap semiconductor technologies such as Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC) have been shown to be viable candidates in extreme environments (e.g high-temperature and high radiation). Such electronics have applications in down-hole drilling, automobile-, airand spaceindustries. In this thesis, integrated circuits ...
متن کاملapplication of upfc based on svpwm for power quality improvement
در سالهای اخیر،اختلالات کیفیت توان مهمترین موضوع می باشد که محققان زیادی را برای پیدا کردن راه حلی برای حل آن علاقه مند ساخته است.امروزه کیفیت توان در سیستم قدرت برای مراکز صنعتی،تجاری وکاربردهای بیمارستانی مسئله مهمی می باشد.مشکل ولتاژمثل شرایط افت ولتاژواضافه جریان ناشی از اتصال کوتاه مدار یا وقوع خطا در سیستم بیشتر مورد توجه می باشد. برای مطالعه افت ولتاژ واضافه جریان،محققان زیادی کار کرده ...
15 صفحه اولFour-Way Substrate Integrated Waveguide (SIW) Power Divider/Combiner for High Power Applications
A four-way power divider/power combiner using substrate integrated waveguide (SIW) and microstrip lines is proposed and investigated. The proposed power divider consists of a double-layer substrate with a bottom layer including an SIW T-junction and a top layer including a microstrip network. This microstrip network consists of a modified Gysel power divider which provides a high isolation betw...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Engineering Science and Technology, an International Journal
سال: 2015
ISSN: 2215-0986
DOI: 10.1016/j.jestch.2014.10.004